檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and year="93"
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本論文研製以具有C軸（002）擇優取向的氧化鋅為壓電材料及以多孔性二氧化矽做為基材取代現今氣隙型的薄膜體聲波振盪器，其結構分別為上電極／氧化鋅壓電薄膜／下電極／多孔性基材。多孔性基材以球磨、混粉…
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由於鐵電薄膜多為氧化物，且製程溫度都是在高溫，因此大多搭配使用抗高溫氧化之電極材料作為電極。貴金屬Pt是常使用之材料，然而Pt電極的價格偏高，若能使用較便宜的金屬電極來代替，又能維持導電性，進一步又…
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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本論文「模擬退火演算法」針對高密度分波多工器有高效率及全域最佳解的優點設計，其光譜之透射及反射特性曲線應用此法均有效地達成光學特性之要求。本設計程序集中於1550 nm之波段，亦可應用於任意光譜波段…